时间：2025/8/13 3:04:22
阅读：15
L2N7002DW1T1G 是一款由ON Semiconductor生产的双N沟道增强型MOSFET芯片，采用TO-363封装形式。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：115mA
导通电阻（Rds(on)）：5Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-363
功耗（Pd）：300mW
L2N7002DW1T1G MOSFET具有出色的电性能和热稳定性，适合多种高频开关应用。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，使其在高频变换器中表现出色。TO-363封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定运行。该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，适用于恶劣的工作环境。
在电气特性方面，L2N7002DW1T1G具有低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。其漏极电流能力虽然有限，但在低功率应用中表现优异。此外，该器件具备良好的热阻特性，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，延长使用寿命。
TO-363封装的尺寸小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。这种封装形式还具有良好的焊接性能，提高了生产效率和产品一致性。L2N7002DW1T1G广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
L2N7002DW1T1G MOSFET常用于电源管理电路、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动器、电机控制和信号开关等应用场景。它适用于需要高频开关性能和低功耗设计的电子设备，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机、智能穿戴设备、工业自动化设备和汽车电子模块。
2N7002, BSS138, FDV301N, SI2302DS
