L1SS400GT1G 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的表面贴装型肖特基势垒整流器(Schottky Barrier Rectifier),适用于高频率开关应用。该器件采用先进的硅技术,提供高效能和低正向压降(Low Forward Voltage Drop),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。该整流器通常用于电源转换、DC-DC转换器、逆变器以及电池充电系统等应用。
类型:肖特基势垒整流器
最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
最大平均整流电流(IO):1A
正向压降(VF):0.45V(最大值,典型值为0.35V)
反向漏电流(IR):100μA(最大值,@40V)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123
安装类型:表面贴装(SMD)
L1SS400GT1G 具备多项关键特性,使其在高频整流应用中表现出色。首先,该器件的低正向压降(VF)显著降低了导通损耗,从而提高了电源转换效率。这对于节能型电源设计至关重要。
其次,L1SS400GT1G 的反向恢复时间极短,几乎可以忽略不计,因此特别适用于高频开关电路,如DC-DC转换器、同步整流器和反激式变换器。这有助于减小外部滤波元件的尺寸,提高系统的整体功率密度。
此外,该整流器采用SOD-123小型表面贴装封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动贴片工艺,提高了生产效率。其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)也使其适用于严苛的工业环境和车载电子系统。
最后,L1SS400GT1G 的额定反向电压为40V,额定正向电流为1A,适用于中低功率整流场合。其反向漏电流较小(最大100μA),有助于减少待机功耗,提升系统可靠性。
L1SS400GT1G 主要用于各种电源管理和转换系统中。在DC-DC转换器中,该器件可作为输出整流器,提高转换效率并减少热量产生。在电池充电电路中,它可用于防止电流倒灌,保护电池安全。
此外,L1SS400GT1G 也广泛应用于低电压、中等电流的电源适配器、LED照明驱动器和便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和无线耳机等。由于其封装小巧且功耗低,非常适用于对空间和能效要求较高的设计。
在工业控制领域,L1SS400GT1G 可用于PLC电源模块、传感器供电系统以及自动化设备中的整流电路。在汽车电子应用中,如车载充电器、导航系统和车载娱乐设备中,该器件也能提供稳定可靠的整流功能。
MBR0540T1G, 1N5819W-13-F, B140LW, SS14, L1SS400G