DFP2N60是一种高压功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高电压应用领域。该器件采用N沟道增强型技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
DFP2N60的额定电压为600V,适用于多种高压场景,其封装形式通常为TO-247或TO-220,便于散热和安装。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2A
导通电阻:1.8Ω
栅极阈值电压:2V~4V
最大耗散功率:75W
工作温度范围:-55℃~150℃
DFP2N60的主要特性包括:
1. 高耐压能力:600V的漏源电压使其适合于高压环境中的应用。
2. 低导通电阻:1.8Ω的导通电阻可以降低功率损耗,提高效率。
3. 快速开关性能:具备较低的输入电容和输出电容,从而实现高速开关操作。
4. 热稳定性强:能够在-55℃至150℃的工作温度范围内稳定运行。
5. 可靠性高:经过严格的质量测试,确保在恶劣环境下也能保持良好的性能。
DFP2N60的应用领域包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管使用,提供高效的电压转换。
2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或其他类型的电机,提供精确的速度和扭矩调节。
3. 逆变器:在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中起到关键作用。
4. 负载切换:在各种工业自动化设备中用作负载切换元件。
5. 保护电路:用于过流保护、短路保护等功能模块中。
IRF650N, STP2NK60Z, FDP2N60