类型：小信号二极管
　　材料：硅（Si）
　　最大正向电流（IF）：300 mA
　　最大反向电压（VR）：100 V
　　最大正向电压降（VF）：1.0 V（在IF=10 mA时）
　　最大反向漏电流（IR）：100 nA（在VR=100 V时）
　　反向恢复时间（trr）：4 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

L1N4148WTT1G 以其优异的开关性能和高频响应能力著称。该器件具有快速的反向恢复时间（trr）为4 ns，适用于高频整流和高速开关应用。其低电容特性（通常为2.5 pF）使其在高频信号路径中表现出色，有助于减少信号失真和损耗。此外，该二极管的最大正向电流为300 mA，最大反向耐压为100 V，适用于多种中低功率应用。
　　L1N4148WTT1G 采用 SOT-23 封装，是一种小型表面贴装封装，便于在高密度PCB布局中使用。该封装也提供了良好的热性能和机械稳定性，确保器件在各种工作环境下的可靠性。该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车级应用。
　　另外，L1N4148WTT1G 具有良好的稳定性和长寿命，符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适合环保要求高的应用场合。

L1N4148WTT1G 主要用于需要快速开关和高频响应的电路中。典型应用包括数字电路中的信号整流、逻辑电平转换、反向极性保护、电压钳位以及继电器或电感负载的续流保护。由于其低电容和快速恢复时间，该器件也常用于通信设备、射频（RF）模块、传感器接口电路以及微控制器外围电路中。
　　此外，该二极管还广泛应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和传感器接口。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和电源适配器中，L1N4148WTT1G 也常用于保护和整流功能。

1N4148WSW-7-F, LL4148WST5G, MMSD4148WT1G, 1N4448W