类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：150V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：150V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：30至300（根据具体分档）

2N5551B T/P 具有优异的高频放大性能，其过渡频率（fT）高达100MHz，适合用于射频和中频放大电路。该晶体管的集电极-发射极击穿电压为150V，能够承受较高的电压，适用于高压放大和开关应用。
　　此外，其TO-92封装结构紧凑，便于在各种电路板上安装使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的分档可以在30至300之间变化，满足不同应用对增益的需求。
　　这款晶体管还具备较低的噪声系数，使其在低噪声放大器设计中表现出色，同时在混频器和调制电路中也有良好的线性度和动态范围。其设计确保了在宽频率范围内保持稳定的增益和低失真，适用于高性能模拟电路。

2N5551B T/P 主要应用于射频放大器、中频放大器、混频器和调制器等通信电路中。在无线通信系统中，它常用于前端信号放大，提高接收信号的强度。
　　在工业电子设备中，该晶体管可用于高频信号发生器、测试仪器和传感器信号调理电路。
　　此外，它也适用于消费类电子产品，如收音机、电视机和音频设备中的信号放大和处理电路。
　　由于其高电压耐受能力，2N5551B T/P 还可用于高压开关电路和电源管理应用，提供可靠的开关控制功能。

2N5550, BC547, 2N3904