KVA21300-W3 时间：2025/8/1 17:25:32 阅读：34

KVA21300-W3是一款由Kec Corporation（现为KEC公司）制造的N沟道功率MOSFET，设计用于高效能的电源管理和功率转换应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了低导通电阻和高电流处理能力，适用于如电源供应器、马达控制和DC-DC转换器等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

KVA21300-W3具有极低的导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，从而提高了器件的可靠性和耐用性。其高电流处理能力使其非常适合用于需要大电流负载的应用场合。此外，KVA21300-W3还具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作，确保长时间运行的可靠性。
　　该MOSFET的封装形式通常为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，便于在高功率应用中使用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和集成。KVA21300-W3还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保护电路免受损坏。

应用

KVA21300-W3广泛应用于各种电源管理和功率转换设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动器、逆变器以及各种工业控制设备。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合，如电动汽车充电系统、太阳能逆变器、服务器电源和工业自动化设备等。