时间：2025/8/2 5:44:40
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DMT6013LSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用。该器件采用 3 引脚的 SOT26 封装，具有低导通电阻、高可靠性以及快速开关特性，适合用于负载开关、DC-DC 转换器和电源管理系统中。其额定电压为 -20V，最大连续漏极电流为 -5A，非常适合用于便携式设备和低功耗应用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-5A
导通电阻(Rds(on))：36mΩ @ Vgs = -4.5V，58mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散(Pd)：1.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT26
DMT6013LSS-13 具备多项优异特性，首先其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 Vgs = -4.5V 时 Rds(on) 仅为 36mΩ，在 Vgs = -2.5V 时为 58mΩ，这使得该器件能够在低栅极驱动电压下依然保持良好的性能。
其次，该 MOSFET 采用 SOT26 小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合用于空间受限的便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
此外，DMT6013LSS-13 具备高可靠性，通过了 AEC-Q101 汽车级认证，适用于车载电子系统中的电源管理模块。其最大连续漏极电流为 -5A，能够满足中等功率负载的需求。
该器件还具备良好的静电放电（ESD）防护能力，栅极设计有保护二极管，可防止静电对器件造成损坏，提高了在生产、组装和使用过程中的稳定性与安全性。
最后，DMT6013LSS-13 的快速开关特性使其在高频开关应用中表现优异，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升整体系统的效率。
DMT6013LSS-13 主要用于各类电源管理系统中，例如负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统和电机驱动电路。由于其低导通电阻和小型封装，特别适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的电源管理模块。
在汽车电子领域，DMT6013LSS-13 可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）等场景中的电源开关与调节电路。
此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、智能电表、安防监控设备等工业控制系统中，作为高效率的功率开关元件。
由于其具备较高的可靠性和稳定性，DMT6013LSS-13 也常用于服务器和通信设备中的电源管理单元，以实现高效、紧凑的电源设计。
Si4435BDY, AO4413, FDC6303, DMT2014LSS-13
