型号：KU8249366
　　存储容量：16 Gb（2 GB）
　　组织结构：2G x8 / 1G x16
　　工作电压：VDD = 1.35 V，VDDQ = 1.35 V
　　最大数据速率：16 Gbps/pin
　　接口类型：GDDR6
　　封装形式：80-ball FBGA（细间距球栅阵列）
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　刷新周期：符合JEDEC标准（tREFI）
　　预取架构：16n prefetch
　　数据宽度：x8/x16可配置
　　时钟频率：最高800 MHz（有效频率1600 MHz，双沿采样）
　　功耗特性：典型操作功耗约2.5W（依使用场景变化）
　　支持功能：写入时钟自校准、读写训练支持、部分阵列自刷新（PASR）等

KU8249366 具备卓越的高速数据传输能力，基于GDDR6架构设计，可在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，实现双倍数据速率。其核心特性之一是高达16 Gbps的引脚数据速率，使得单颗芯片即可提供极高的带宽，满足现代GPU对内存吞吐量的严苛需求。为了支持如此高的速率，该芯片采用了决策反馈均衡（DFE）技术和改进的预驱动电路，有效提升了信号完整性和抗噪声能力，从而在高频下仍能保持稳定运行。此外，其差分时钟输入（WCKn/WCKp）独立于命令/地址时钟（CKn/CKp），允许更高的时序灵活性和更低的延迟，提升了整体系统的响应性能。
　　在功耗管理方面，KU8249366 引入了多项节能机制，包括动态电压调节、局部阵列自刷新（PASR）、温度补偿自刷新（TCSR）以及深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）。这些功能可根据系统负载自动调整功耗状态，在保证高性能的同时显著降低待机和轻载情况下的能耗，特别适合移动图形平台或对散热有严格限制的应用环境。该芯片还集成了片上纠错码（ECC）支持和写入水平校准功能，提高了数据可靠性与接口稳定性。
　　从制造工艺来看，KU8249366 基于三星先进的1z-nm级DRAM制程技术打造，不仅实现了更高的存储密度，也增强了芯片的良率与长期可靠性。其80-ball FBGA封装具有优良的电气性能和散热特性，便于集成到高密度PCB布局中。此外，该器件支持多裸片堆叠（PoP或TSV-based stacking）技术，为未来更高容量显存模组的设计提供了扩展基础。总体而言，KU8249366 是一款专为下一代图形和计算应用设计的高性能GDDR6内存芯片，兼具速度、能效与可靠性优势。

KU8249366 主要应用于需要极高显存带宽和低延迟访问的前沿计算平台。其首要应用场景是高端独立显卡，尤其是用于游戏、实时光线追踪和深度学习推理的GPU模块。NVIDIA和AMD等厂商在其高端GPU产品中广泛采用类似规格的GDDR6颗粒，而KU8249366 凭借其16 Gbps的数据速率和稳定的电气特性，成为此类设计的理想选择。此外，它也被集成于新一代游戏主机中，如索尼PlayStation 5和微软Xbox Series X/S，这些设备依赖大带宽显存来实现4K甚至8K分辨率下的流畅渲染和快速资产加载。
　　在人工智能和机器学习领域，KU8249366 同样发挥着关键作用。AI加速卡和推理引擎通常配备大量GDDR6内存以支持大规模矩阵运算和模型权重存储，该芯片的高吞吐量和低延迟特性有助于提升训练和推断效率。数据中心中的可视化服务器、虚拟现实流媒体平台以及云游戏基础设施也大量使用此类高性能DRAM，以应对并发用户请求和高帧率视频流处理。
　　专业图形工作站（如用于3D建模、CAD/CAM、影视后期制作）同样依赖KU8249366 提供的强大显存支持。这类系统在处理超高清纹理、复杂几何结构和实时模拟时，需要快速访问大量图形数据，GDDR6的高效并行架构恰好满足这一需求。此外，某些高性能嵌入式系统和自动驾驶计算平台也开始引入GDDR6技术，用于图像信号处理和传感器融合任务。综上所述，KU8249366 的应用覆盖了从消费电子到企业级计算的多个高端领域，是现代高性能图形与计算系统的基石组件之一。

MT6V4008AG-16:MICRON
　　K4ZAF3R4AM-BCTD:SAMSUNG
　　ADGF4CWFAM-16:SK HYNIX