KU5N12 时间：2025/9/12 11:16:15 阅读：14

KU5N12 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率控制和高频率开关应用。这款MOSFET属于N沟道增强型晶体管，设计用于高效能的电源管理系统。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KU5N12 MOSFET具有低导通电阻和高开关速度，使其在功率转换和开关应用中表现出色。该器件设计用于高效率和低功耗操作，适合用于DC-DC转换器、开关电源和电机控制等场景。其高耐压能力（1200V）也使其适用于高电压环境下的应用。此外，KU5N12具有良好的热稳定性和可靠性，可以在较高的工作温度下运行而不会影响性能。
　　KU5N12还具有快速的开关特性，可以减少开关损耗，提高整体系统的效率。它的栅极驱动需求较低，简化了驱动电路的设计，并降低了驱动电路的复杂性。这种MOSFET的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。

应用

KU5N12 MOSFET广泛应用于各种电源管理和功率控制领域，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路、逆变器以及各种工业自动化设备。其高电压耐受能力和高效率特性使其成为高电压和高功率应用的理想选择。此外，该器件也适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统和消费电子产品中的电源模块。