KU4F8 时间：2025/12/28 15:01:13 阅读：11

KU4F8 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及电机控制等应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于高效率、高频工作的电子系统。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：400V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　漏极电流 Id（连续）：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.85Ω（最大值 1.2Ω）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　工艺技术：高压 MOSFET 工艺

特性

KU4F8 具有出色的导通性能和开关特性，适用于多种高电压和高功率应用场景。其主要特性之一是较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的耐压能力（Vds 为 400V），使其适用于中高压电源系统。KU4F8 的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。由于其 TO-220 封装形式，该 MOSFET 具有良好的散热性能，能够承受较大的工作电流。此外，KU4F8 的封装设计便于安装和散热管理，适合在紧凑型电源设计中使用。该器件还具有较高的热稳定性和抗过载能力，适用于长期运行的工业设备和电源系统。
　　KU4F8 在设计上优化了高频开关性能，减少了开关损耗，因此适用于高频 DC-DC 转换器和逆变器等应用。其结构也具有较好的抗静电能力和稳定性，能够在较为恶劣的工作环境中保持稳定运行。