时间：2025/7/2 10:39:05
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FD668是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于需要高效能和低功耗的电子设计。
FD668采用TO-252（DPAK）封装形式，这种封装能够提供良好的散热性能，并且易于焊接在印刷电路板上。其设计使得它可以承受较高的漏源电压，并在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ
总功耗(Ptot)：2.1W
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷(Qg)：19nC
反向恢复时间(trr)：47ns
FD668具备非常低的导通电阻（Rds(on)为30mΩ），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，它的快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用。
该器件还拥有较高的电流承载能力和耐热性能，能够在恶劣环境下可靠运行。同时，它支持宽泛的工作温度范围，从-55°C到+150°C，满足工业级和汽车级应用的需求。
另外，FD668的漏源击穿电压高达60V，确保了其在高压环境中的稳定表现。
FD668主要应用于各类功率转换和控制电路中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电机驱动和控制
5. 负载开关
6. 保护电路
7. 工业自动化设备
由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸，FD668成为许多高性能电子产品设计的理想选择。
IRF668
FDP668
STP12NF06
