FD668 时间：2025/7/2 10:39:05 阅读：31

FD668是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于需要高效能和低功耗的电子设计。
　　FD668采用TO-252（DPAK）封装形式，这种封装能够提供良好的散热性能，并且易于焊接在印刷电路板上。其设计使得它可以承受较高的漏源电压，并在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

参数

漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ
　　总功耗(Ptot)：2.1W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极电荷(Qg)：19nC
　　反向恢复时间(trr)：47ns

特性

FD668具备非常低的导通电阻（Rds(on)为30mΩ），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，它的快速开关特性和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用。
　　该器件还拥有较高的电流承载能力和耐热性能，能够在恶劣环境下可靠运行。同时，它支持宽泛的工作温度范围，从-55°C到+150°C，满足工业级和汽车级应用的需求。
　　另外，FD668的漏源击穿电压高达60V，确保了其在高压环境中的稳定表现。

应用

FD668主要应用于各类功率转换和控制电路中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 电池管理系统（BMS）
　　4. 电机驱动和控制
　　5. 负载开关
　　6. 保护电路
　　7. 工业自动化设备
　　由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸，FD668成为许多高性能电子产品设计的理想选择。