电容值：3.3μF
　　容差：±20%
　　额定电压：25V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸：3216（公制）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　极性：有极性

KTS250B335M32N0T00 钽电容器具有多项优异的电气和物理特性。首先，其采用钽金属作为阳极材料，结合二氧化锰作为阴极材料，从而实现了较高的电容密度和稳定的电气性能。这种材料组合使得电容器能够在较小的封装尺寸下提供较大的电容值，同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频电路中表现良好。此外，该电容器的工作温度范围较宽，能够在 -55°C 至 +125°C 的环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。
　　其次，KTS250B335M32N0T00 采用表面贴装封装形式（SMD），符合现代电子制造中高密度贴装的需求，便于自动化生产和PCB布局。其封装尺寸为3216（公制，即3.2mm x 1.6mm），在提供足够电容的同时，占用的PCB面积较小，适合空间受限的设计。
　　再者，该电容器具有良好的稳定性，在长时间使用过程中电容值变化较小，且具有较低的漏电流，适合用于对稳定性要求较高的电源电路和信号处理电路。此外，KEMET 作为全球知名的电容器制造商，确保了该型号在制造工艺和材料选择上的高标准，从而提供了较高的可靠性和一致性。

KTS250B335M32N0T00 主要应用于需要高稳定性和低ESR的电子设备中。常见用途包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源去耦和滤波；计算机和服务器中的电源管理模块；汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、车身控制模块）中的滤波和能量存储；工业控制系统和医疗设备中的信号调理电路；以及DC-DC转换器和LDO稳压器中的输出滤波电容。由于其优异的高频响应特性，该电容器也常用于射频（RF）和模拟电路中的旁路和耦合应用。

Vishay TAJB226K016RNJ, AVX TPSB335K025R0150