时间：2025/6/28 12:55:35
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PTVSHC3N12VUL1 是一款基于超结技术（Super Junction）设计的 N 沣道开关晶体管（MOSFET）。这种器件通常用于需要高效率和快速开关的应用场景，例如电源适配器、LED 驱动器、DC-DC 转换器以及电机驱动等。其封装形式为 LFPAK56E（Power SO8），具备低导通电阻和优秀的热性能。
该 MOSFET 的主要特点是采用了先进的超结结构，从而显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：59mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：22nC（典型值）
输入电容：1040pF（典型值）
反向恢复时间：40ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
PTVSHC3N12VUL1 提供了非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少传导损耗，并且对于高频应用来说尤为重要。此外，该器件还具有以下特点：
1. 采用超结技术，实现更高的功率密度和更低的开关损耗。
2. 极低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss 设计，优化了开关性能。
3. 快速的反向恢复时间 trr，减少了死区时间和开关节点振荡。
4. 紧凑型表面贴装封装 LFPAK56E，适用于高密度 PCB 布局。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
6. 工作温度范围广，能够适应恶劣环境下的应用需求。
这款 MOSFET 主要应用于各种中低压功率转换电路中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管。
2. DC-DC 转换器及降压/升压模块的核心组件。
3. LED 驱动电路中的负载开关或调光控制元件。
4. 小型电机驱动和逆变器电路中的功率级器件。
5. USB-PD 充电器和其他便携式电子设备中的高效功率开关。
6. 数字多路复用器和电池保护电路中的理想二极管替代方案。
BSC047N12NS3, IPW120N04S5L, STP45NF12, FDMQ8203
