时间：2025/4/30 20:14:30
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KTN2907A-AT/PS 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种功率控制电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
该型号在设计上注重了热性能优化，能够承受较大的电流负载，并且具备良好的抗干扰能力。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热并适合表面贴装技术（SMT）。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：31A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：28W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KTN2907A-AT/PS的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频开关电源及DC-DC转换器等应用。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 小型化封装设计，易于集成到紧凑型电路板设计中。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
该MOSFET适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类负载切换开关，例如LED驱动、电池保护等。
5. 工业设备和汽车电子中的功率控制模块。
KTN2907A-G, IRFZ44N, FDP5570
