KTN2369S 时间：2025/12/28 15:44:47 阅读：14

KTN2369S 是一款由韩国制造商Keystone Semiconductor（可能）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中，如DC-DC转换器、电源开关、负载开关以及电机控制等。KTN2369S采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流能力，适用于各种中小型功率电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：约9.3A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约23mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：46W（在25°C）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTN2369S MOSFET具备多项优异特性，适用于高效率和高可靠性要求的电源系统设计。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件支持高达60V的漏源电压，适用于中高压电源转换系统。KTN2369S的栅极驱动电压范围较宽（支持±20V），使其兼容多种驱动电路，如常见的MOSFET驱动IC或微控制器输出。该器件的封装形式为TO-252（也称为DPAK），具备良好的热性能和机械稳定性，适合表面贴装工艺，便于在PCB上安装和散热设计。
　　KTN2369S的耐高温特性（最高工作温度可达150°C）确保其在高负载或高温环境下仍能稳定运行，适用于工业控制、电源适配器、电池管理系统以及电机驱动器等应用场景。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高电源系统的动态响应能力。KTN2369S还具有较高的抗雪崩能力和过载保护能力，增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。

应用

KTN2369S MOSFET广泛应用于各类电源管理系统和电子控制设备中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器、电源适配器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及LED驱动电源等。由于其低导通电阻和良好的热稳定性，KTN2369S特别适用于需要高效率和高可靠性的中功率电源转换系统。例如，在DC-DC降压转换器中，KTN2369S可用作主开关管，实现高效的电压转换；在电机驱动系统中，它可用于控制电机的启停和调速；在电池管理系统中，KTN2369S可作为充放电控制开关，确保电池的安全运行。