时间：2025/12/28 14:59:19
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KTK921U 是一款由Kec Corporation生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动等电路中。这款MOSFET具有低导通电阻和高电流承载能力，适合于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：12A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（在Vgs=10V时）
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
KTK921U具备优异的导通性能和快速开关特性，其低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高功率密度的设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V之间的驱动电压，适用于多种控制电路。其高耐压能力和良好的短路承受能力，使得在恶劣工作环境下也能保持稳定运行。
在制造工艺方面，KTK921U采用了先进的平面技术，优化了芯片结构，从而实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。这种设计使其在高频率开关应用中表现优异，能够满足现代电源系统对高效率和小型化的需求。
KTK921U常用于各类电源管理电路，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器以及负载开关控制。此外，它也适用于马达驱动电路、LED照明驱动以及各种工业控制设备中的功率开关应用。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件也被广泛用于汽车电子系统、消费类电子产品以及通信设备中。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PbF
