时间：2025/6/29 8:51:37
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GRT1555C1HR30BA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型技术。该芯片专为高频开关应用设计，具有较低的导通电阻和优秀的开关特性，能够有效提升电路效率并降低能耗。其封装形式为TO-263，适合用于各类工业级和消费级电子产品中。
型号：GRT1555C1HR30BA02D
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
脉冲漏极电流(Id,脉冲)：110A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ(典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：98nC
总电容(Ciss)：1960pF
工作温度范围：-55°C至+175°C
GRT1555C1HR30BA02D具有出色的热稳定性和电气性能。
1. 导通电阻低至3mΩ，能够在高电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速开关能力，适用于高频电路环境。
3. 高电流承载能力（最高可达47A连续电流），确保在重载情况下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应多种恶劣环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 封装形式为TO-263，易于焊接和集成到PCB板上。
这些特点使该器件成为高效能电源管理的理想选择。
GRT1555C1HR30BA02D广泛应用于各种领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
4. 通信设备中的DC/DC转换器。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率调节。
由于其卓越的性能和可靠性，这款芯片在需要高效率和大电流处理能力的应用场合中表现出色。
GRT1555C1HRA30BA02D, IRF3205, AO3400
