KTK5132S-RTK 时间：2025/12/28 15:19:52 阅读：12

KTK5132S-RTK是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高功率密度的电子系统中。这款MOSFET采用了先进的平面技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适合于各种中高功率应用场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　漏源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.027Ω（典型值，VGS=10V）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　功耗（PD）：40W

特性

KTK5132S-RTK具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的封装形式为TO-252，这种表面贴装封装便于散热，并适用于自动化装配流程。此外，KTK5132S-RTK还具备较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作。
　　KTK5132S-RTK的设计优化了开关损耗，使其适用于高频率开关电源和DC-DC转换器等需要快速开关响应的应用。其栅极驱动特性较为理想，能够减少驱动电路的复杂度和成本。同时，该器件具备良好的抗雪崩击穿能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
　　这款MOSFET的另一个显著特点是其在高温下的稳定性。它能够在高达150℃的结温下正常工作，这使得它非常适合用于紧凑型高功率密度的设计中。此外，KTK5132S-RTK的封装设计有助于热量的快速散发，从而进一步提高器件的稳定性和使用寿命。