KTK5132E-RTK 时间：2025/12/28 15:29:08 阅读：9

KTK5132E-RTK 是一款由 KEC（ Korea Electronics Corporation ）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及开关电源等电路中。KTK5132E-RTK 的设计旨在提供高效率、高可靠性和低导通电阻，使其适用于对性能和功耗有严格要求的电子设备。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：120A
　　最大功耗 Pd：134W
　　导通电阻 Rds(on)：≤4.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KTK5132E-RTK 具有多个显著的电气和物理特性，确保其在各种应用中的稳定性和高效性。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流工作状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。这对于高能效要求的电源转换器和负载开关应用尤为重要。
　　其次，该器件采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性。这种封装方式不仅支持高效的散热管理，还适合自动化生产流程，提高了制造效率。
　　此外，KTK5132E-RTK 支持高达 120A 的连续漏极电流，使其能够胜任大功率负载的控制任务，例如电机驱动、LED 驱动器和电池管理系统等。
　　该 MOSFET 还具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），从而在使用中对驱动电路的设计提供了更大的灵活性，并降低了因过电压引起的损坏风险。
　　最后，KTK5132E-RTK 在宽广的工作温度范围内保持稳定的性能，从 -55°C 到 +150°C，适用于严苛环境条件下的工业和汽车电子应用。

应用

KTK5132E-RTK 被广泛应用于多个领域。首先，在电源管理系统中，它用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，实现高效的能量转换和管理。其次，在电机驱动电路中，由于其高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制。
　　此外，KTK5132E-RTK 也常用于电池管理系统（BMS），特别是在电动车辆（EV）和储能系统中，用于充放电控制和电池保护。同时，它也可用于 LED 照明驱动器，提供稳定的电流控制和高效的功率转换。
　　工业自动化设备、服务器电源和 UPS（不间断电源）系统也是该器件的典型应用场景。由于其高可靠性和良好的热管理性能，KTK5132E-RTK 成为这些高要求环境中的首选功率 MOSFET。