KTK5132E-RTK/H 是一款由Kec Corporation(KEC)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面条形技术和高密度单元设计,具有较低的导通电阻(Rds(on)),适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。其封装形式为TO-252(DPAK),便于安装和散热。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):最大8.5mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散(Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装:TO-252(DPAK)
KTK5132E-RTK/H具备多项优异特性,适合高功率密度和高效率的应用场景。其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。在高频开关应用中,该MOSFET的开关损耗也控制在较低水平,有助于提升电源系统的响应速度和稳定性。该器件采用了先进的平面条形技术,增强了电流处理能力,同时优化了热性能,确保在高负载条件下的可靠运行。
此外,KTK5132E-RTK/H具备优良的栅极氧化层稳定性,可承受±20V的栅源电压,避免因电压波动导致的器件损坏。其TO-252(DPAK)封装设计不仅节省空间,而且便于安装在PCB上,提高了生产效率。该封装形式还具备良好的散热性能,有助于在高电流工作条件下维持器件的稳定运行。
该MOSFET的高可靠性和耐久性使其适用于多种严苛环境下的应用,如工业自动化、汽车电子、通信设备和消费类电源管理模块。
KTK5132E-RTK/H 主要用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子系统。典型应用包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及高功率密度电源模块。在服务器电源、电源适配器、UPS不间断电源系统、太阳能逆变器和电动车电源管理系统中也有广泛应用。
在DC-DC转换器中,该器件作为主开关或同步整流开关,能够有效降低导通损耗,提高转换效率。在电机控制应用中,其高电流能力和快速开关特性有助于实现精确的速度和扭矩控制。在电池管理系统中,KTK5132E-RTK/H可用于充放电控制和保护电路,确保电池组的安全运行。此外,在电源管理模块中,该MOSFET可用于实现高效的电源分配和负载切换功能。
Si4410DY-T1-GE3, IRF1010E, FDP6030BL, AUIRF1010E