KTK5131V 时间：2025/12/28 16:02:32 阅读：11

KTK5131V 是一款由韩国 KEC（Korea Electronics Corporation）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及各种高电流开关应用中。KTK5131V 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在较低的导通电阻（Rds(on)）下工作，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热稳定性和散热性能，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤5.5mΩ（@ Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTK5131V 具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），通常低于 5.5mΩ，在 Vgs=10V 的条件下，能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于需要高效能转换的 DC-DC 转换器和电池管理系统尤为重要。
　　其次，KTK5131V 的最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流可达 60A，具备较强的电流承载能力，适用于高功率负载切换和电源管理应用。其栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了在各种驱动条件下都能稳定工作。

应用

KTK5131V 主要应用于需要高电流开关能力的电源管理系统中，包括但不限于以下领域：
　　在 DC-DC 转换器中，KTK5131V 用于高效能升压或降压电路，实现电池供电设备中的电压调节。
　　在负载开关电路中，该器件用于控制高电流负载的通断，如电动工具、LED 照明系统和工业设备。
　　在马达驱动器中，KTK5131V 可作为 H 桥结构中的开关元件，用于控制直流马达的正反转和速度调节。
　　在电源适配器和充电器中，该 MOSFET 用于同步整流电路，以提高整机效率并降低发热。
　　此外，KTK5131V 还可用于汽车电子系统，如车窗控制、座椅调节、车载充电器等场景。