MRF426是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效开关和功率控制的电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,使其在电源管理、电机驱动、照明控制以及各种功率电子设备中表现出色。MRF426通常采用TO-220或TO-263等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω @ VGS = 10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:TO-220、TO-263
功率耗散(PD):83W
漏极电容(Ciss):1300pF @ VDS = 25V
MRF426具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其较低的导通电阻(RDS(on))确保在导通状态下功耗最小,从而提高系统效率并减少散热需求。其次,该MOSFET具有快速的开关速度,适用于高频应用,如DC-DC转换器和开关电源。此外,MRF426具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定工作,适合工业级和汽车电子应用。其栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V或12V驱动电路,简化了驱动电路设计。MRF426还具备一定的抗过载能力,在瞬态负载条件下仍能保持稳定运行。最后,该器件的封装设计优化了散热性能,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。
MRF426被广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等,提供高效能的功率转换。
2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机的控制电路中,实现高效率的调速与方向控制。
3. LED照明驱动:用于LED灯串的恒流控制,提高照明效率和稳定性。
4. 汽车电子:用于车载电源系统、车窗控制、座椅调节等功率控制应用。
5. 工业自动化:用于PLC、继电器替代、自动控制系统的功率开关元件。
6. 电池管理系统(BMS):用于充放电控制、保护电路中的高侧或低侧开关。
7. 逆变器和UPS系统:用于逆变电路中的高频开关元件,提高系统响应速度和效率。
IRF540N, FQP10N60C, FDPF047N60, STP10NK60Z, SiHF10N60C