时间：2025/12/28 15:29:00
阅读：11
KTK5131E是一款常见的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于功率开关和放大电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。KTK5131E通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及各类消费类电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
脉冲漏极电流（IDM）：240A
导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值，取决于测试条件）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）
KTK5131E采用了先进的沟槽式MOSFET结构，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有较高的电流承载能力，适用于大电流负载的应用场景，如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统。KTK5131E的开关速度快，响应时间短，有助于提高电路的动态性能，减少开关损耗。此外，它具备良好的热稳定性和耐高温能力，能够在高温环境下稳定工作，增强了器件的可靠性。其封装设计便于散热，有利于提高功率密度和整体系统的稳定性。
KTK5131E广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制模块、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。在消费电子产品中，它也常用于电源适配器、充电器、LED驱动电路和智能家电的功率控制模块。此外，该MOSFET还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制电路等。
TK5131E,KTK5131
