类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.8A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：22A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：8mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：10mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：13mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：730pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：290pF @ VDS=15V
　　反向传输电容（Crss）：55pF @ VDS=15V
　　总栅极电荷（Qg）：12nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　上升时间（tr）：35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　下降时间（tf）：15ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP-6 (SOT-23-6)

S4008DS2TP采用了高性能的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体系统效率。其在VGS=10V时RDS(on)低至8mΩ，在VGS=4.5V时仍能保持10mΩ的低阻值，表明其具备优异的低压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低阈值电压与低导通电阻的结合，使得器件在轻载和重载条件下均能高效运行。
　　该器件具有出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg=12nC）和米勒电容（Crss=55pF），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的可行性。快速的开关响应时间（开启延迟8ns，上升时间35ns，关断延迟25ns，下降时间15ns）使其非常适合用于高频DC-DC转换器和同步整流电路中，有效提升电源系统的动态响应能力和功率密度。
　　S4008DS2TP的热性能表现良好，尽管封装尺寸小巧（SOT-23-6），但通过优化内部结构和封装材料，实现了较高的热传导效率，确保在高电流工作下结温不会迅速上升。器件的最大工作结温可达+150°C，并具备良好的热稳定性，适合在工业级温度环境中长期运行。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和良好的EAS（单脉冲抗雪崩能量）特性，增强了在异常工况下的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复速度，适用于需要续流功能的拓扑结构。所有这些特性共同使S4008DS2TP成为一种可靠、高效的功率开关解决方案，广泛应用于消费类电子、通信设备和便携式产品中。

S4008DS2TP广泛应用于多种低电压、中等功率的开关电路中。典型应用场景包括同步降压转换器中的高端或低端开关，用于实现高效的DC-DC电压转换，常见于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统的电源管理模块。由于其支持逻辑电平驱动，也常被用作负载开关，控制电源路径的通断，例如在USB电源管理、电池供电设备的上电序列控制中发挥关键作用。
　　在电机驱动领域，S4008DS2TP可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低边开关使用，提供快速响应和低功耗控制。此外，它也可用于LED背光驱动电路中的开关元件，配合PWM调光实现亮度调节。
　　在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电通路的控制，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长电池续航时间。同时，由于其小型化封装，非常适合空间受限的便携式医疗设备、智能穿戴设备和物联网终端设备中的电源开关应用。
　　其他应用还包括热插拔控制器、电源多路复用器、OR-ing二极管替代方案以及各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统。凭借其高可靠性与环保合规性，S4008DS2TP也适用于工业自动化和通信基础设施中的辅助电源设计。

AO4408A, FDS4408A, SI4408BDY-T1-GE3, DMG2308LVT-7, IPD9308CP