类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：≤28mΩ
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或TO-220

KTK2661是一款高性能的N沟道功率MOSFET，其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，适用于高效率的电源转换系统。该器件的漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适合用于中高功率的DC-DC转换器和电机控制电路。KTK2661的封装形式为TO-263（D2PAK）或TO-220，具有良好的热性能和散热能力，能够在较高的工作温度下稳定运行。
　　该MOSFET的栅源电压为±20V，具有较强的栅极驱动能力，同时具备良好的抗过压能力。在高温环境下，KTK2661仍能保持稳定的性能，具有良好的热稳定性与可靠性。此外，KTK2661具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，提高系统整体效率。这些特性使其成为电源管理、负载开关、电池管理系统和电机驱动应用中的理想选择。
　　该器件还具备较高的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。KTK2661在设计时考虑了电磁干扰（EMI）优化，有助于降低系统的电磁噪声。其封装形式便于安装和散热设计，适合在紧凑型电子设备中使用。此外，KTK2661具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适合在工业级和汽车级应用中使用。

KTK2661广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和功率放大器等。由于其高耐压和低导通电阻的特点，该MOSFET特别适用于需要高效率和高稳定性的电源转换系统。在工业自动化、通信设备、新能源汽车和消费电子产品中，KTK2661都能发挥出色的性能。

IRFZ44N, STP60NF06, FDP6030L, SiHF60N06E