KTK161Y 时间：2025/8/2 1:05:13 阅读：32

KTK161Y是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高电流和高功率应用，如电源管理、马达控制、DC-DC转换器以及负载开关。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高效率。KTK161Y封装形式多样，常见的为TO-220或DPAK等，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：16A
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤40mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、DPAK（具体取决于制造商）
　　功率耗散（Pd）：100W（最大值）
　　漏极电容（Ciss）：约1500pF（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约30nC（典型值）

特性

KTK161Y的主要特性包括其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高了系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和良好的动态性能，适用于高频开关应用。其高栅极绝缘强度（±20V）使其在面对瞬态电压时仍能保持稳定运行。KTK161Y的封装设计便于散热，有助于延长器件寿命和提升可靠性。
　　KTK161Y还具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这使其在马达驱动和电源转换器等需要高可靠性的应用中表现优异。此外，该器件的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。
　　在封装方面，KTK161Y通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于安装和散热。其结构设计优化了电流路径，减少了寄生电感，提高了开关性能。这些特性使得KTK161Y在高功率、高效率和高可靠性的应用中成为理想选择。

应用

KTK161Y广泛应用于各种高功率和高效率的电子设备中。常见的应用包括DC-DC转换器、马达驱动电路、电源管理模块、负载开关、电池充电器和工业自动化控制系统。在汽车电子中，该MOSFET可用于电动车辆的电源系统、车载充电器以及LED照明控制。此外，KTK161Y也适用于消费类电子产品，如高性能笔记本电脑电源适配器、智能家电的电机控制模块以及高效能电源供应器。