KTIR0811S 时间：2025/12/26 11:01:10 阅读：20

KTIR0811S是一款由KEMET（现为Yageo集团的一部分）生产的红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED），广泛应用于需要红外光源的电子设备中。该器件属于表面贴装型（SMD）封装，具有紧凑的外形尺寸和高效的光电转换性能，适用于空间受限且对可靠性要求较高的应用场景。KTIR0811S采用GaAs（砷化镓）材料制成，能够在近红外波段（通常为中心波长850nm或870nm）高效地发射红外光，具备良好的光束集中性和稳定性。其设计目标是为红外通信、传感、监控和遥控系统提供稳定可靠的光源支持。
　　该元器件常用于与红外接收模块配合工作，在数据传输链路中作为发射端使用，例如在红外遥控器、光电开关、接近传感器、障碍物检测装置以及安防监控摄像头中的夜视补光系统中均有广泛应用。由于其低功耗、长寿命和快速响应特性，KTIR0811S也适合电池供电设备和需要长时间连续运行的工业控制系统。
　　封装形式为小型化的SMD类型，便于自动化贴片生产，提升了整机制造效率并降低了组装成本。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好性的要求。

参数

型号：KTIR0811S
　　类型：红外发射二极管（IRED）
　　封装类型：SMD
　　发光波长：850 nm（典型值）
　　正向电压：1.3 V（典型值，IF=20mA）
　　反向电压：5 V
　　最大正向电流：100 mA
　　峰值脉冲电流：1 A
　　视角（半强度角）：±20°
　　工作温度范围：-40°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-40°C ~ +100°C
　　功率耗散：150 mW
　　芯片材质：GaAs
　　发光方向：顶部发光

特性

KTIR0811S红外发射二极管具备出色的光电性能和稳定的输出特性，其核心优势在于高亮度与低驱动电流之间的良好平衡。该器件在20mA的典型正向电流下即可实现高效的红外光输出，辐射强度足以满足大多数短距离通信和感应需求。其发光波长集中在850nm附近，这一波段不仅与硅基光电探测器的灵敏度峰值高度匹配，还能在夜间监控系统中提供肉眼不可见但摄像机能清晰捕捉的照明效果，因此特别适用于闭路电视（CCTV）和红外夜视设备。
　　该器件采用GaAs（砷化镓）半导体材料制造，具有较高的内量子效率，能够将大部分电能转化为红外辐射，减少热损耗，从而提升整体能效并延长使用寿命。同时，KTIR0811S具备较快的开关响应速度，上升和下降时间通常在几十纳秒量级，使其非常适合用于调制频率较高的红外数据传输场合，如IrDA通信协议或脉冲编码遥控信号传输。
　　从结构设计上看，KTIR0811S采用表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并可通过回流焊工艺进行自动化生产，提高了装配效率和产品一致性。其环氧树脂封装不仅提供了良好的光学透射率，还具备一定的机械强度和防潮能力，增强了在复杂环境下的工作可靠性。视角设计为±20°，实现了适度的光束集中，既保证了足够的照射距离，又避免了过度聚焦导致的对准困难问题。
　　此外，该器件的工作温度范围宽达-40°C至+100°C，可在严苛的工业或户外环境中稳定运行。其额定参数经过严格测试和筛选，确保在长期使用过程中光输出衰减缓慢，维持系统性能的一致性。综合来看，KTIR0811S是一款高性能、高可靠性的红外发射元件，适用于多种需要隐蔽式红外照明或非接触信号传输的应用场景。

应用

KTIR0811S主要应用于各类需要红外光源的电子系统中。常见用途包括红外遥控装置，如电视、空调、音响等家用电器的遥控器发射头，利用其稳定的850nm波长输出实现可靠的指令传输；在安防领域，该器件被广泛用于闭路监控摄像头的夜视补光系统，配合CMOS或CCD图像传感器，在无可见光环境下提供均匀的红外照明，实现全天候监控功能。
　　在工业自动化方面，KTIR0811S可用于构建光电开关、接近传感器或物体检测模块，通过与光电接收管组成对射式或反射式传感结构，实现非接触式的位移、位置或运动状态检测，广泛应用于自动门控、流水线计数、打印机纸张检测等场景。此外，在消费类电子产品中，它也可用于手势识别、距离感应（如智能手机防误触）、红外数据通信（IrDA）等新兴应用。
　　由于其小型化SMD封装和低功耗特性，KTIR0811S也非常适合嵌入便携式设备和电池供电系统，如无线传感器节点、智能穿戴设备或物联网终端，为其提供轻量化的红外感知能力。在医疗设备中，该器件还可参与非侵入式生理参数监测，如血氧饱和度测量中的光源组件（需配合红光LED）。总之，KTIR0811S凭借其优异的光电特性和环境适应性，已成为现代红外技术应用中的关键基础元件之一。