类型：DDR SDRAM
　　容量：512 Mbit (64 MB)
　　组织结构：4 Banks × 16,777,216 words × 16 bits
　　数据宽度：16位
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　最大时钟频率：133 MHz
　　访问时间：7.5 ns
　　封装形式：TSOP-II (86-pin)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　刷新周期：64ms / 8192行 = 每7.8μs一次自动刷新
　　数据速率：133 Mbps（每引脚）
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8字节模式可配置
　　突发类型：顺序或交错模式可选
　　接口类型：CMOS兼容输入/输出

K4S511633F-PL75具备多项关键技术特性，使其在当时的SDRAM市场中具有较强的竞争力。首先，它采用了双倍数据速率（DDR）技术，允许在每个时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输，从而在不提高时钟频率的前提下显著提升了数据带宽。这一机制使得其有效数据传输速率达到了266 MT/s（百万次传输每秒），远高于传统SDR SDRAM。其次，该芯片内置四个独立的存储Bank，支持交叉访问操作，即在一个Bank执行预充电或刷新操作的同时，其他Bank仍可继续读写，大大提高了内存的整体利用率和连续数据吞出能力。此外，K4S511633F-PL75集成了完整的控制逻辑电路，包括地址多路复用器、行列译码器、片上锁相环（PLL）以及时序控制器，确保了精确的时钟同步和稳定的运行表现。
　　为了适应不同应用场景的需求，该芯片支持多种突发长度（Burst Length）配置，包括1、2、4、8字节模式，并可通过模式寄存器编程选择突发类型为顺序（Sequential）或交错（Interleaved）。这种灵活性有助于优化处理器与内存之间的数据交换效率，特别是在图像处理、视频流缓冲等大数据量传输场景下表现优异。另外，该器件具备自动刷新和自刷新两种低功耗模式，能够在系统待机或休眠状态下维持数据完整性，同时降低整体功耗。其TSOP-II封装设计不仅保证了良好的电气性能，还便于表面贴装工艺的大规模生产，提升了系统的组装良率和可靠性。最后，K4S511633F-PL75符合JEDEC标准规范，具备良好的互换性和兼容性，是许多经典嵌入式平台的重要组成部分。

K4S511633F-PL75广泛应用于多种需要中等容量、高性价比动态内存的电子系统中。在消费电子领域，它常见于早期的DVD播放机、数字机顶盒、家庭网关和打印机等设备中，用于缓存音视频数据或临时存放操作系统运行时的信息。在网络通信设备方面，该芯片被大量使用于路由器、交换机和ADSL调制解调器中，作为主控处理器的外部存储器，支撑协议栈处理、数据包缓冲和路由表维护等功能。在工业控制和自动化系统中，如PLC控制器、人机界面（HMI）终端和智能仪表，K4S511633F-PL75因其稳定性和耐用性而受到青睐，能够满足长时间连续运行的要求。此外，一些老式PC主板、图形加速卡和嵌入式工控主板也采用此类DDR内存颗粒构成小型内存模块或直接焊接在板上构成板载内存。尽管随着技术进步，该型号已逐渐被更高密度、更低功耗的DDR2/DDR3乃至LPDDR系列所取代，但在设备维修、备件替换和老旧系统维护领域，K4S511633F-PL75仍然具有一定的市场需求。

K4S511632F-PC75
　　K4S511633D-PC75
　　MT46V32M16P-75B