电容值：47000pF (47nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：25V
　　温度系数：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　电介质材料：陶瓷
　　封装类型：表面贴装（SMD）

KTF251B473K31N0T00 具备优异的温度稳定性，其X7R电介质材料确保在宽温度范围内电容值变化最小，典型变化为±15%以内。此外，该电容器的容差为±10%，适用于需要较高精度的电路设计。由于采用陶瓷材料和多层结构，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和良好的高频特性，适合用于去耦、滤波和旁路应用。其1210（3225公制）封装尺寸提供了足够的机械强度和焊接可靠性，同时兼容标准的SMT（表面贴装技术）生产线。
　　此外，KTF251B473K31N0T00 设计用于高可靠性环境，具有良好的抗湿性和抗热冲击能力，能够在高温和恶劣环境下稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合绿色电子产品的设计需求。

KTF251B473K31N0T00 主要用于电源去耦、DC-DC转换器、射频（RF）电路、滤波器、旁路电容以及工业自动化设备中的信号调理电路。它也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，以提升电路的稳定性和性能。此外，在通信基础设施中，如基站、路由器和交换设备中，该电容器可作为高频滤波和信号耦合元件使用。其高稳定性和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）。

GRM32ER71E473KA121A, C3225X7R1E473K250AB, CL25X7R1E473KBNNNE