MA0201CG100F500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于需要高效能和快速响应的应用场景。
型号:MA0201CG100F500
类型:N沟道功率MOSFET
Vds(漏源电压):100V
Rds(on)(导通电阻):5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(持续漏极电流):50A
Qg(栅极电荷):45nC
fsw(最大工作频率):500kHz
Ptot(总功耗):25W
封装形式:TO-247
MA0201CG100F500 具有以下显著特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,从而提高整体效率。
2. 高速开关性能,使得该器件在高频应用中表现优异。
3. 强大的电流承载能力,使其能够在高负载条件下稳定运行。
4. 热稳定性良好,具备较高的结温范围(最高可达+175°C)。
5. 内置反向恢复二极管,可以有效降低反向恢复损耗。
6. 封装坚固耐用,适合工业及汽车级应用环境。
该芯片的主要应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高频功率开关。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和控制。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
这些应用都要求高效的功率转换和良好的热管理性能,而 MA0201CG100F500 的特点恰好满足了这些需求。
MA0201CG100F400, IRF840, FDP5500