时间：2025/12/28 15:07:54
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KTD863-Y是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高功率应用中，如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。KTD863-Y通常采用TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于在PCB上安装并实现良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：约2.7mΩ（典型值，VGS = 10V）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KTD863-Y具备出色的导电性能和热稳定性，其低导通电阻（RDS(on)）使其在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，适用于高效率电源设计。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的短路耐受性，能够承受瞬时过载而不损坏。其先进的沟槽结构优化了电场分布，提高了器件的可靠性和耐用性。
KTD863-Y还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。其栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。该器件还具备良好的热反馈性能，在高温环境下仍能保持稳定工作。
封装方面，KTD863-Y采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维护。该封装还具有较强的机械稳定性和良好的焊接性能，适用于各种工业和汽车电子应用。
KTD863-Y广泛应用于各种高功率和高电流场景，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制器、负载开关、电源管理模块以及各类工业和汽车电子设备中的功率开关部分。此外，该器件也可用于服务器电源、UPS（不间断电源）和电信设备中的高效能电源系统。
IRF1405, SiSS74N10, STP120N3LL, IPW90R120CDB, FDD8882, FQA100N10L
