时间：2025/9/12 11:54:41
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KTD2061是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。KTD2061通常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统等高效率、高可靠性的电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤45mΩ（当Vgs=10V时）
耗散功率(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KTD2061具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其60V的漏源击穿电压适用于多种中低压功率转换场合。该MOSFET具备高栅极雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的稳定性。
此外，KTD2061采用了TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合在紧凑型电路设计中使用。其高可靠性和热稳定性也使其在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中得到广泛应用。
该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。其栅极驱动要求较低，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于设计和集成。
KTD2061主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等功率电子设备中。由于其高效率和良好的热稳定性，该器件也常用于汽车电子系统（如车载充电器、LED照明驱动）、工业自动化设备及高功率密度电源模块中。
Si4410BDY, FDS6680, IRFZ44N, AO4406
