KTD2060 时间：2025/9/12 11:18:14 阅读：19

KTD2060是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率控制应用。该器件设计用于高效率、高可靠性和低导通损耗的场景，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和开关电源等电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：60A（最大值）
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为28mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

KTD2060的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，最大漏极电流可达60A，适合大功率应用场景。其60V的漏极-源极击穿电压能够满足大多数中低压功率转换的需求，例如电池供电系统和电源适配器。
　　KTD2060采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具备较高的散热能力，有助于在高负载条件下维持器件的稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的MOSFET驱动器，且在VGS=10V时即可实现完全导通。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　此外，KTD2060具备较高的耐用性和可靠性，在高温和高电流条件下仍能保持良好的性能，适用于长时间运行的系统，如服务器电源、电动工具和工业自动化设备。

应用

KTD2060适用于多种功率电子应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（如BMS）、电机驱动电路、电源开关和负载开关等。在电源管理模块中，它可以作为主开关器件，用于高效能转换和调节电源。在电池管理系统中，KTD2060可用于控制充放电路径，提供高效率和低损耗的电流传输。此外，该器件也可用于电源适配器、不间断电源（UPS）和电动工具等消费类和工业类电子产品中。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，KTD2060特别适合需要高效率和低热损耗的高频开关应用。在电机控制和H桥驱动电路中，该器件可以提供快速开关响应和稳定的导通性能，有助于提高系统的整体效率和可靠性。