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KTD1937 发布时间 时间:2025/9/12 12:11:32 查看 阅读:35

KTD1937是一款常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明、DC-DC转换器等功率控制电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适合在中高功率场景中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A
  导通电阻(RDS(on)):≤3.5mΩ(典型值)
  功耗(PD):250W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)或TO-263(D2PAK)

特性

KTD1937具有低导通电阻(RDS(on)),能够在高电流下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。
  其高栅极击穿电压(±20V)提供了良好的抗干扰能力,适用于复杂电磁环境中的应用。
  该MOSFET具备高功率耗散能力,可在较高温度环境下稳定运行,适用于对散热要求较高的工业和汽车电子系统。
  由于其高速开关特性,KTD1937适用于高频开关电源和电机控制电路,有助于减小外围滤波元件的尺寸。
  此外,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,具有优异的热稳定性和抗过载能力,可在高负载条件下保持长期可靠性。

应用

KTD1937主要应用于以下领域:
  开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器件,提高转换效率并降低发热;
  直流电机驱动电路,适用于电动工具、电动车和自动化设备;
  LED照明驱动电路,特别是在高亮度LED应用中实现恒流控制;
  电池管理系统(BMS)中用于充放电控制与保护;
  DC-DC转换器和负载开关电路,用于便携设备和工业控制系统;
  汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和车载逆变器等。

替代型号

IRF1405, Si4410DY, IPD90N03S4-07, FDP8860

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