KTD1937 时间：2025/9/12 12:11:32 阅读：40

KTD1937是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明、DC-DC转换器等功率控制电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在中高功率场景中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤3.5mΩ（典型值）
　　功耗（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

KTD1937具有低导通电阻（RDS(on)），能够在高电流下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　其高栅极击穿电压（±20V）提供了良好的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的应用。
　　该MOSFET具备高功率耗散能力，可在较高温度环境下稳定运行，适用于对散热要求较高的工业和汽车电子系统。
　　由于其高速开关特性，KTD1937适用于高频开关电源和电机控制电路，有助于减小外围滤波元件的尺寸。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，具有优异的热稳定性和抗过载能力，可在高负载条件下保持长期可靠性。

应用

KTD1937主要应用于以下领域：
　　开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件，提高转换效率并降低发热；
　　直流电机驱动电路，适用于电动工具、电动车和自动化设备；
　　LED照明驱动电路，特别是在高亮度LED应用中实现恒流控制；
　　电池管理系统（BMS）中用于充放电控制与保护；
　　DC-DC转换器和负载开关电路，用于便携设备和工业控制系统；
　　汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和车载逆变器等。