KTD1411-U/PH 时间：2025/9/11 14:09:13 阅读：12

KTD1411-U/PH 是一款由Koryo Technologies（高荣科技）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于需要高效能和高可靠性的功率转换应用。该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，便于在PCB上安装和散热管理。KTD1411-U/PH广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电源管理和电机控制等领域。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：60A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：240A
　　导通电阻(RDS(on))：8.2mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：11mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：96nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

KTD1411-U/PH 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高效率电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。该MOSFET在VGS=10V时RDS(on)为8.2mΩ，在VGS=4.5V时仍可保持在11mΩ，这使其适用于多种栅极驱动电压条件。此外，该器件的高电流承载能力（高达60A连续漏极电流）使其能够胜任高功率密度设计的需求。该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，确保在极端工作条件下也能可靠运行。其栅极电荷（Qg）仅为96nC，有助于降低开关损耗并提高开关频率。TO-252（DPAK）封装具备良好的热管理和焊接可靠性，适合表面贴装工艺。综合来看，KTD1411-U/PH 是一款性能优异、适用于多种功率电子应用的MOSFET器件。

应用

KTD1411-U/PH 广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（如BMS）、电源管理单元（PMU）、工业自动化控制系统、服务器电源模块以及电动汽车的电力电子设备中。其高效率和高可靠性使其成为现代电源设计中的重要组成部分，适用于需要高功率密度和低损耗的应用场景。