工作频率范围（RF/LO）：6 GHz 至 18 GHz
　　中频（IF）范围：DC 至 4 GHz
　　转换损耗：典型值 7.5 dB
　　本振驱动电平：+13 dBm
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+25 dBm
　　射频输入P1dB压缩点：+10 dBm
　　本振-射频隔离度：>30 dB
　　本振-中频隔离度：>35 dB
　　射频-中频隔离度：>30 dB
　　阻抗匹配：所有端口50 Ω
　　封装类型：陶瓷QFN-16（4x4 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HMC504LC4B具备出色的宽带性能，覆盖6 GHz至18 GHz的射频与本振频率范围，使其适用于多种高频通信系统，包括Ka波段卫星通信、毫米波回传链路及雷达前端。其宽频带特性减少了系统设计中对多个混频器的需求，提升了设计灵活性。该器件采用优化的双平衡二极管环结构，在整个工作频段内提供平坦的转换损耗响应，典型值仅为7.5 dB，确保了信号链路的高效能传输。由于是无源混频器，无需直流供电，避免了有源器件可能引入的噪声和非线性失真问题，同时具备更高的热稳定性和长期可靠性。
　　HMC504LC4B在高本振驱动电平（+13 dBm）下运行，能够有效降低混频过程中的AM噪声，并提高对输入信号的线性处理能力。其输入三阶交调截点（IIP3）高达+25 dBm，表明其在强干扰环境下仍能保持良好的信号保真度，适用于多载波、高密度调制系统的应用场合。此外，该混频器具有优异的端口间隔离性能，LO-RF、LO-IF和RF-IF隔离均超过30 dB，显著减少了本振泄漏对射频前端的影响，也降低了中频输出中的杂散成分，有利于后续滤波和放大电路的设计。
　　该器件采用紧凑的陶瓷QFN-16封装，尺寸仅为4 mm × 4 mm，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温、高湿或振动环境中使用。其所有端口均设计为50欧姆阻抗匹配，兼容标准射频传输线布局，便于使用微带线或带状线进行PCB集成。HMC504LC4B的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用级应用要求。为了实现最佳性能，建议使用高质量的巴伦电路将单端本振信号转换为差分驱动，以充分发挥其双平衡结构的优势。该混频器在制造过程中经过严格筛选和测试，保证批次一致性，适合批量生产应用。

HMC504LC4B主要用于高性能射频和微波系统中，特别是在需要高线性度和宽频带响应的应用场景。典型应用包括点对点和点对多点无线通信系统，如E-band和W-band微波回传链路，用于5G基站之间的高速数据连接。在卫星通信领域，该混频器可用于地面站的上行和下行频率转换模块，支持Ku、K和Ka波段的操作。其高隔离度和低互调特性使其成为测试与测量仪器的理想选择，例如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中的谐波混频模块。此外，在电子战（EW）和雷达系统中，HMC504LC4B可用于宽带接收机前端，执行快速频率扫描和信号侦测任务。由于其无需供电且可靠性高，也常被用于空间受限但要求严苛的航空航天平台。该器件还可集成于毫米波成像系统、远程传感设备以及高速数字无线电系统中，承担关键的频率变换功能。

HMC604LC4B
　　HMC775A-LP5E
　　ADMV1013