类型：NPN型晶体管
　　封装形式：TO-92
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流放大系数（hFE）：范围广泛（常见为110-800，取决于等级）
　　过渡频率（fT）：典型值100MHz

KTC812E 具备多项适用于通用电子电路的特性。其NPN结构使其在低功率放大和开关应用中表现优异，同时TO-92封装使其易于安装于PCB板上。该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足一般信号放大和驱动需求。集电极-发射极电压和集电极-基极电压均达到30V，使其适用于中等电压环境。此外，其最大功耗为300mW，保证了在较长时间工作下的热稳定性。KTC812E的电流放大系数（hFE）范围广泛，根据不同的等级分为多个区间，便于设计者根据具体需求选择合适的晶体管。其过渡频率（fT）达到100MHz，适用于中高频放大电路，具有良好的频率响应特性。晶体管的温度稳定性良好，最大工作温度可达150°C，确保在高温环境下依然可以稳定运行。

KTC812E 主要应用于各种电子电路中的信号放大、开关控制和驱动电路。在音频放大电路中，该晶体管可用于前级放大器，提供良好的音频信号增益。在数字电路中，KTC812E常用于驱动LED、继电器、小型电机等负载。此外，该晶体管也适用于电源管理电路、传感器信号放大器、电压调节器和振荡器等应用场景。由于其良好的频率响应特性，KTC812E也可用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。在教学实验和DIY电子项目中，该晶体管也是常见的选择，因其性能稳定且易于获取。

2N3904, BC547, 2SC1815, PN2222