时间：2025/12/28 15:30:01
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KTC811E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高效率功率应用。KTC811E采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
脉冲漏极电流（Idm）：320A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KTC811E具备多项优异的电气和物理特性，适用于高功率密度设计。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，这对于电池供电设备和高能效电源尤为重要。
其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流和320A的脉冲漏极电流，使其在高负载应用中表现出色，如电机驱动、电源转换器等。
KTC811E采用TO-252封装，具有良好的热性能和机械稳定性，能够有效散热并维持稳定工作温度，提升整体系统可靠性。
此外，其栅源电压范围为±20V，兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同的功率系统中。
该MOSFET还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC变换器等。
综合来看，KTC811E是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于广泛的工业和消费类电子产品。
KTC811E广泛应用于各类功率电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高电流能力和低导通电阻，也常用于高效率电源适配器、LED驱动电源和电动车控制器等场景。
IRF1404, STP80NF55, FDP80N10, SiR876DP
