类型: N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id): 100A
　　最大漏源电压 (Vds): 200V
　　最大栅源电压 (Vgs): ±30V
　　导通电阻 (Rds(on)): 23mΩ @ Vgs=10V
　　功耗 (Pd): 250W
　　工作温度范围: -55°C 至 175°C
　　封装类型: TO-220 或 TO-263

KTC5700ED MOSFET 具有以下主要特性：
　　1. **高耐压能力**：最大漏源电压（Vds）可达 200V，使其适用于高电压开关应用，例如电机驱动器、电源转换器和功率放大器。
　　2. **低导通电阻**：典型导通电阻为 23mΩ，在高电流条件下可显著降低功率损耗，提高效率。这对于大功率电源系统尤为重要。
　　3. **高电流处理能力**：最大漏极电流为 100A，使其能够承受大负载电流，适用于高功率 DC-DC 转换器、逆变器和电机控制电路。
　　4. **良好的热稳定性**：该器件的热阻较低，能有效散热，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。
　　5. **高栅极驱动兼容性**：支持常见的栅极驱动电压（如 10V），易于与标准驱动电路配合使用。
　　6. **过载和短路保护能力**：在设计中考虑了短路和过载情况下的耐受能力，提高了系统的安全性和稳定性。
　　这些特性使 KTC5700ED 在工业自动化、电源管理、汽车电子和消费类高功率设备中具有广泛的应用前景。

KTC5700ED MOSFET 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：包括 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和高效率电源模块，用于提高能量转换效率并减少发热。
　　2. **电机控制**：在电动工具、电动车辆和工业电机驱动系统中，用于控制电机的启停和速度调节。
　　3. **逆变器系统**：如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在这些系统中用于将直流电转换为交流电。
　　4. **功率放大器**：在音频功率放大器或射频（RF）功率放大器中，作为高功率输出级的开关元件。
　　5. **电池管理系统**：用于电池充放电控制电路，确保电池组的安全和高效运行。
　　6. **工业自动化设备**：如工业机器人、自动化生产线中的大功率负载开关控制。
　　由于其高耐压、低导通电阻和高电流能力，KTC5700ED 非常适合需要高可靠性和高性能的功率电子系统。

IRF1404, STP100N20F7, FDP100N20