时间：2025/9/12 19:04:37
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KTC4666-B-RTK 是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道功率MOSFET，常用于电源管理、开关电源和功率放大器等应用。这款MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合在高功率密度和高效率要求的应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
KTC4666-B-RTK 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中具有广泛的应用前景。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作状态下，器件的导通损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。其次，该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为60V，适用于多种中高压功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等。
此外，该器件的最大连续漏极电流（Id）可达100A，能够在高负载条件下保持稳定运行。这种高电流处理能力使其非常适合用于高功率开关应用。KTC4666-B-RTK 还具备良好的热稳定性，最大功耗（Pd）为200W，能够有效应对高温工作环境，确保器件在长时间运行中保持可靠性能。
KTC4666-B-RTK 主要应用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及各类高功率电子设备。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在需要高效能和高可靠性的电源转换应用中表现出色。
IRF1404, AUIRF1404S, Si4410DY, STP100N6F6, FDP100N6F6
