KTC4379-Y-RTF 时间：2025/12/28 15:15:49 阅读：9

KTC4379-Y-RTF 是一款由KEXIN（科信）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各类高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.2mΩ（典型值）
　　漏极功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3
　　极性：增强型
　　阈值电压（Vth）：1V ~ 3V

特性

KTC4379-Y-RTF 采用先进的沟槽型MOSFET工艺技术，具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于高功率密度的设计。该MOSFET具有快速开关特性，可有效减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
　　此外，KTC4379-Y-RTF 具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提升了系统的可靠性和安全性。其TO-252封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于在PCB上安装和焊接，适用于自动化生产流程。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，适用于各种应用场景，如同步整流、负载开关、电池管理系统等。

应用

KTC4379-Y-RTF 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理模块：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等；
　　2. 工业控制系统：包括电机驱动、负载开关、继电器替代方案等；
　　3. 电池管理系统（BMS）：用于高效充放电控制；
　　4. 汽车电子：如车载充电器、启动系统、LED照明驱动等；
　　5. 通信设备：用于高效率电源模块和稳压器系统。