KTC4378-Y-RTF 时间：2025/12/28 14:33:11 阅读：16

KTC4378-Y-RTF是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效能和高密度电源设计。其封装形式为SOT-223，是一种小型表面贴装封装，便于散热和空间受限的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1.0~2.5V
　　最大功耗（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

KTC4378-Y-RTF具有多项优异的电气和热性能，能够满足高效率电源转换的需求。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用沟槽式工艺制造，具有良好的电流分布和较高的载流能力，确保在高负载条件下稳定运行。
　　该MOSFET具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而提升整体系统的功率密度。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于多种控制电路架构。
　　此外，KTC4378-Y-RTF采用SOT-223封装，具有良好的热管理能力，能够有效地将热量传导至PCB板上，确保在高功率密度设计中保持较低的工作温度。这种封装形式也便于自动化贴装和焊接，适合大规模生产应用。
　　该器件在极端温度和高湿度环境下表现出良好的稳定性和可靠性，适用于工业级和消费类电子设备。其高耐用性和低失效率也使其成为车载电子、便携式设备和通信电源等高可靠性要求场合的理想选择。

应用

KTC4378-Y-RTF适用于多种功率电子系统，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）和AC-DC适配器
　　? DC-DC降压/升压转换器
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电机驱动和负载开关控制
　　? 工业自动化设备和嵌入式系统电源模块
　　? 便携式电子产品电源管理单元
　　? LED照明驱动电路
　　? 服务器和通信设备的电源供应系统