KTC4075E 时间：2025/12/28 15:30:32 阅读：10

KTC4075E 是一款由东芝（Toshiba）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及各种高频率功率转换场合。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合于需要高效能和高可靠性的电子系统中使用。KTC4075E 通常封装于 TO-252（DPAK）封装中，具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 4.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KTC4075E 的主要特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在高频开关应用中表现优异，同时具备出色的热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。KTC4075E 的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，提升了器件在恶劣工作环境下的可靠性。TO-252 封装不仅提供了良好的散热性能，还具备紧凑的尺寸，适合用于空间受限的设计。
　　另一个显著的优点是其快速开关特性，KTC4075E 的开关时间非常短，能够在高频条件下实现快速切换，从而减少开关损耗。这对于提高电源转换器的效率尤为重要。此外，该器件具有较低的输入电容（Ciss），有助于减少驱动电路的负载，提高响应速度。KTC4075E 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流而不损坏，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　综上所述，KTC4075E 凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关特性以及优异的热性能，成为高性能功率转换应用的理想选择。

应用

KTC4075E 被广泛应用于各类电源管理系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。由于其高效率和低导通电阻，KTC4075E 特别适用于高功率密度设计，例如服务器电源、电信设备、工业控制设备以及新能源汽车中的功率模块。此外，该 MOSFET 也可用于电池供电设备的电源管理电路，以提高能量利用率并延长电池续航时间。