时间：2025/5/16 18:41:00
阅读：9
GR442QR73D101KW01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的沟道型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，适合于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的应用场景。
这款 MOSFET 的设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，以减少功率损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-263-3
GR442QR73D101KW01L 提供了低导通电阻（Rds(on)），这对于降低导通损耗至关重要。同时，其较低的栅极电荷使得开关速度更快，从而减少了开关损耗。
此外，该器件具有出色的热稳定性和耐用性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
它还具备较低的输入电容和输出电容，有助于进一步提升开关效率。整体上，这款 MOSFET 为高频应用提供了优异的效能表现，并且能够承受较大的电流负载。
该型号的 MOSFET 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化系统中的功率管理模块
5. 太阳能逆变器
6. 电动汽车相关的充电及控制系统
由于其高效率和强大的电流承载能力，它非常适合要求高性能和可靠性的场合。
GR442QR73D101KW01L, IRFZ44N, FDP5570N
