时间：2025/9/12 13:16:07
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KTC3911S-GR-RTK/P是一款由KEC（东芝半导体公司）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。这款MOSFET采用小型SOP（Small Outline Package）封装，适合对空间有严格要求的高密度电路设计。其高效率、低导通电阻和快速开关特性使其在便携式设备和电源管理应用中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.0A
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
功率耗散（PD）：2W
栅极电荷（Qg）：11nC
KTC3911S-GR-RTK/P具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达5A的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。此外，MOSFET具备快速开关能力，栅极电荷低至11nC，有助于减少开关损耗并提升整体性能。其SOP封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。该器件的工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级环境下的严苛条件。同时，±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性和保护裕量，防止因过电压导致的损坏。整体而言，KTC3911S-GR-RTK/P是一款高效、可靠且适用于多种电源管理场景的MOSFET器件。
KTC3911S-GR-RTK/P常用于以下应用场景：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块；DC-DC转换器和同步整流器；电池保护电路和负载开关；LED驱动电路；工业控制系统中的功率开关；以及各种需要高效、小型化功率MOSFET的电子设备。
Si2302DS、2N7002K、FDN304P、AO3400A、IRLML2502
