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SIHG33N60EF-GE3 发布时间 时间:2025/5/13 18:20:14 查看 阅读:3

SIHG33N60EF-GE3 是一款由 Semikron 推出的 IGBT 模块,属于 SKHI 系列。该模块采用半桥拓扑结构设计,适用于工业变频器、不间断电源(UPS)、焊接设备和太阳能逆变器等应用。其高耐压和低导通损耗的特点使其在高频开关应用中表现出色。
  该器件内部集成了两个反并联二极管,从而优化了续流性能,同时降低了开关损耗。此外,其封装形式为行业标准的 EconoDUAL 3,具有出色的散热性能和机械稳定性。

参数

电压等级:600V
  电流等级:33A
  开关频率:最高可达 20kHz
  结温范围:-40℃ 至 +150℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  导通压降(Vce(sat)):≤ 2.0V(典型值 1.8V,@IC=33A,Tj=25℃)
  总热阻(Rth(j-c)):0.25 K/W
  栅极电荷(Qg):≤ 90nC

特性

1. 高效的 IGBT 和快恢复二极管组合,大幅降低开关和导通损耗。
  2. 采用 EconoDUAL 3 封装,具备紧凑型设计,便于安装与维护。
  3. 内置过温保护功能,提升系统的可靠性和安全性。
  4. 耐雪崩能力强,确保在异常条件下仍能正常运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球市场的法规要求。
  6. 可直接替代市场上同类规格的产品,无需额外的硬件或软件修改。

应用

1. 工业电机驱动及变频器控制。
  2. 太阳能光伏逆变器中的 DC-AC 转换。
  3. 不间断电源系统(UPS)的核心功率转换部分。
  4. 焊接设备中的高频逆变电路。
  5. 电动汽车充电站的功率调节模块。
  6. 各种需要高频高效功率切换的应用场景。

替代型号

SKM33GB 12D, SEMITOP SEMIX33GB12M1E3, SIHG33N60EF-GE

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SIHG33N60EF-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥53.66000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)98 毫欧 @ 16.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)155 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3454 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)278W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3