KTC3880S-Y-RTK 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率管理的应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性,适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各类开关电源电路。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):≤2.8mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):200W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-263(表面贴装)
KTC3880S-Y-RTK 的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得该 MOSFET 在高电流工作条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。
该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了开关性能,降低了开关损耗,并提高了热稳定性。
其 TO-263 封装形式支持表面贴装工艺,适用于自动化生产,同时也具备良好的散热能力,适合高功率密度设计。
此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力,能够在突发电压冲击下保持稳定工作,提升系统的可靠性。
在栅极驱动方面,该器件支持标准逻辑电平驱动(通常为 4.5V 至 10V),兼容常见的 PWM 控制器和驱动 IC。
KTC3880S-Y-RTK 被广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块等,实现高效的能量转换。
2. 电机控制:适用于无刷直流电机驱动、电动车控制器、伺服电机系统等高电流应用场景。
3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制、保护电路中的开关元件。
4. 负载开关与电源管理:在服务器、通信设备、工业控制系统中作为高效率负载开关使用。
5. 太阳能逆变器与储能系统:作为功率开关用于能量转换与调节。
由于其高可靠性和优异的热性能,该器件也常用于汽车电子、消费类电源设备和工业自动化系统中。
SiR100N60AP-T1-GE3, IRF1404, FDP100N60, TK100E06K, AUIRF1404S