KTC3880S-0-RTK 时间：2025/9/11 13:36:43 阅读：13

KTC3880S-0-RTK 是一款由 KEC（东芝的合资企业）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高性能硅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：10A（连续）
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻：≤ 0.45Ω（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KTC3880S-0-RTK 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，其高达 60V 的漏源电压使其适用于多种中高压电源应用，如开关电源、DC-DC 转换器和马达驱动器。此外，该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的热管理性能，有助于在高功率密度设计中实现高效的散热。其高耐压能力和强大的电流承载能力也使其适用于负载开关和功率放大器设计。该 MOSFET 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，提高了系统响应速度。最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适合工业级和汽车电子应用。

应用

KTC3880S-0-RTK 被广泛应用于多种功率电子系统中。例如，在电源管理领域，该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和稳压器模块，以提高能量转换效率并减少发热。在电机控制方面，它可用于马达驱动器中的功率开关元件，提供稳定的电流控制。此外，它也适用于电池管理系统（BMS），作为充放电路径的控制开关。在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于车载电源系统、LED 照明驱动以及车载充电器等应用。由于其高可靠性和良好的热管理性能，它还被用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）以及功率放大器设计中。