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CY7C1021D-10ZSXI 发布时间 时间:2025/11/4 7:03:26 查看 阅读:20

CY7C1021D-10ZSXI 是由 Cypress Semiconductor(现为 Infineon Technologies 的一部分)生产的一款高速、低功耗的 64K x 16 异步静态随机存取存储器(Static RAM, SRAM)芯片。该器件采用标准的并行接口设计,广泛应用于需要快速数据访问和可靠存储性能的嵌入式系统与工业控制设备中。CY7C1021D 系列基于 CMOS 工艺制造,具备高性能与低功耗特性,适合在对稳定性要求较高的工业环境或通信设备中使用。该型号的存储容量为 1 Mbit(64K × 16 位),即能够存储 65,536 个 16 位宽的数据字。其访问时间为 10 纳秒,表明其具备极快的读写响应能力,适用于高速缓存、实时数据缓冲、网络处理单元等场景。CY7C1021D-10ZSXI 提供了标准的地址锁存使能(AEC)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,支持异步读写操作,并兼容 TTL 电平输入,便于与多种微处理器、DSP 或 FPGA 接口直接连接。该器件封装形式为 44-pin SOJ(Small Outline J-leaded Package),符合工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),工作电压为 3.3V ± 0.3V,具备良好的抗干扰能力和长期运行稳定性。此外,该芯片还集成了自动低功耗待机模式,在片选信号无效时自动进入低功耗状态,有助于延长便携式或电池供电系统的续航时间。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress)
  系列:CY7C1021D
  产品类型:SRAM
  存储容量:1 Mbit
  组织结构:64K x 16
  最大访问时间:10 ns
  工作电压:3.0V ~ 3.6V(典型值 3.3V)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装/外壳:44-SOJ
  引脚数:44
  接口类型:并行异步
  数据总线宽度:16 位
  地址总线宽度:16 位(支持 A0-A15)
  控制信号:CE1, CE2, OE, WE, AEC
  输出驱动能力:TTL 兼容
  封装类型:SOJ
  是否无铅:是
  湿气敏感等级(MSL):3

特性

CY7C1021D-10ZSXI 具备多项关键特性,使其在高速异步 SRAM 市场中保持竞争力。首先,其 10ns 的访问时间确保了极快的数据读取速度,适用于高带宽应用场景,如实时图像处理、通信协议缓冲和高速数据采集系统。该芯片采用先进的 CMOS 制造工艺,在保证高性能的同时显著降低动态和静态功耗,尤其在待机状态下通过片选控制自动进入低功耗模式,有效节省能源。
  其次,CY7C1021D-10ZSXI 支持全静态操作,无需刷新周期,简化了系统设计并提高了数据保持的可靠性。其并行接口设计兼容多种主流处理器架构,包括 ARM、PowerPC、MIPS 及各类 DSP 芯片,可作为外部扩展内存无缝集成到复杂系统中。所有输入引脚均具备施密特触发器特性,增强了抗噪声能力,提升了信号完整性,特别适用于电磁干扰较强的工业现场环境。
  再者,该器件提供两种片选输入(CE1 和 CE2),允许灵活的存储空间映射和多芯片级联配置,便于构建更大容量的存储子系统。写使能(WE)和输出使能(OE)信号独立控制,支持总线共享和三态输出隔离,避免总线冲突,提升系统稳定性。此外,地址锁存使能(AEC)功能可在特定模式下锁定当前地址,用于突发访问优化。
  CY7C1021D-10ZSXI 还通过了严格的工业级认证,能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温范围内稳定运行,适用于户外设备、车载电子、医疗仪器等严苛应用场合。其 44-pin SOJ 封装具有良好的热稳定性和机械强度,且符合 RoHS 指令要求,支持环保生产流程。整体而言,这款 SRAM 在性能、功耗、可靠性和兼容性之间实现了优异平衡,是许多高端嵌入式系统中的理想选择。

应用

CY7C1021D-10ZSXI 广泛应用于需要高速、可靠、低延迟数据存储的各种电子系统中。在通信领域,它常被用作网络交换机、路由器中的帧缓冲区或协议处理缓存,以应对突发数据流量并保障传输效率。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于 PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备或运动控制器中,作为程序临时存储或高速数据采集缓冲,确保实时响应能力。
  在嵌入式系统方面,CY7C1021D-10ZSXI 经常作为微处理器或 DSP 的外部扩展 RAM,用于运行实时操作系统(RTOS)或执行复杂的数字信号处理算法,例如音频编码、视频预处理等任务。在测试与测量设备中,如示波器、逻辑分析仪或频谱仪,该 SRAM 可用于高速采样数据的暂存,满足大吞吐量数据流的即时记录需求。
  此外,在医疗电子设备中,如超声成像仪或病人监护系统,其高可靠性和宽温工作特性确保了关键数据的安全存储与快速调用。航空航天与国防领域也利用其稳定性将其应用于雷达信号处理模块或飞行控制计算机中。消费类高端设备如专业级打印机、POS 终端和工业相机同样采用此类 SRAM 来提升系统响应速度和多任务处理能力。由于其 TTL 兼容性和通用并行接口,该芯片还能轻松替换老旧的 3.3V SRAM 器件,实现系统升级而无需重新设计硬件架构。

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CY7C1021D-10ZSXI参数

  • 数据列表CY7C1021D
  • 标准包装135
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量1M (64K x 16)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装托盘
  • 其它名称428-1972CY7C1021D-10ZSXI-ND