时间：2025/6/6 14:44:47
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11N60是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效能应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，广泛应用于电源转换、DC-DC转换器和射频放大器等领域。
其结构采用增强型设计，确保在栅极电压为0V时处于关闭状态，从而提高系统安全性与稳定性。
型号：11N60
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（GaN HEMT）
额定电压：600V
额定电流：11A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：80nC
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247
11N60的核心优势在于其氮化镓材料的应用，使其具备更快的开关速度、更低的导通损耗和更高的效率。相比传统的硅基MOSFET，该器件能够在更高频率下运行，同时保持较低的热耗散。
此外，11N60具有优秀的鲁棒性，可承受较高的瞬态电压，并支持硬开关操作模式。
该芯片还集成了内置保护功能，例如过流保护和短路保护，进一步增强了其可靠性。这些特点使得11N60非常适合用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。
11N60主要应用于需要高效能和高频工作的场景，如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 射频功率放大器
- 快速充电器
由于其出色的性能表现，11N60被广泛认为是下一代电力电子系统的理想选择。
GAN063-650WSA
GXT11R60B
EPC2015
