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11N60 发布时间 时间:2025/6/6 14:44:47 查看 阅读:22

11N60是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻,广泛应用于电源转换、DC-DC转换器和射频放大器等领域。
  其结构采用增强型设计,确保在栅极电压为0V时处于关闭状态,从而提高系统安全性与稳定性。

参数

型号:11N60
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管(GaN HEMT)
  额定电压:600V
  额定电流:11A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:80nC
  最大工作温度:175°C
  封装形式:TO-247

特性

11N60的核心优势在于其氮化镓材料的应用,使其具备更快的开关速度、更低的导通损耗和更高的效率。相比传统的硅基MOSFET,该器件能够在更高频率下运行,同时保持较低的热耗散。
  此外,11N60具有优秀的鲁棒性,可承受较高的瞬态电压,并支持硬开关操作模式。
  该芯片还集成了内置保护功能,例如过流保护和短路保护,进一步增强了其可靠性。这些特点使得11N60非常适合用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。

应用

11N60主要应用于需要高效能和高频工作的场景,如:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 太阳能逆变器
  - 电机驱动
  - 射频功率放大器
  - 快速充电器
  由于其出色的性能表现,11N60被广泛认为是下一代电力电子系统的理想选择。

替代型号

GAN063-650WSA
  GXT11R60B
  EPC2015

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