11N60是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高频、高效能应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻,广泛应用于电源转换、DC-DC转换器和射频放大器等领域。
其结构采用增强型设计,确保在栅极电压为0V时处于关闭状态,从而提高系统安全性与稳定性。
型号:11N60
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(GaN HEMT)
额定电压:600V
额定电流:11A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:80nC
最大工作温度:175°C
封装形式:TO-247
11N60的核心优势在于其氮化镓材料的应用,使其具备更快的开关速度、更低的导通损耗和更高的效率。相比传统的硅基MOSFET,该器件能够在更高频率下运行,同时保持较低的热耗散。
此外,11N60具有优秀的鲁棒性,可承受较高的瞬态电压,并支持硬开关操作模式。
该芯片还集成了内置保护功能,例如过流保护和短路保护,进一步增强了其可靠性。这些特点使得11N60非常适合用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。
11N60主要应用于需要高效能和高频工作的场景,如:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 射频功率放大器
- 快速充电器
由于其出色的性能表现,11N60被广泛认为是下一代电力电子系统的理想选择。
GAN063-650WSA
GXT11R60B
EPC2015